A、拌合物應分三層均勻地裝入筒內(nèi)
B、每層用搗棒插搗12次
C、插搗應沿螺旋方向由中心向外進行
D、當振動到透明圓盤的底面被水泥漿布滿的瞬間停止計時
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A、適用于骨料粒徑不大于40mm的砼拌合物稠度測定
B、適用于骨料粒徑大于40mm的砼拌合物稠度測定
C、適用于坍落度不小于220mm的砼拌合物稠度測定
D、適用于維勃稠度在5~30s之間的砼拌合物稠度測定
A、坍落度測量精確至1mm,坍落擴展度測量精確至5mm
B、坍落度測量與坍落擴展度測量均精確至1mm
C、坍落度試驗結(jié)果表達修約至1mm,坍落擴展度試驗結(jié)果表達修約至5mm
D、坍落度與坍落擴展度試驗結(jié)果表達均修約至5mm
A、坍落度大于220mm的砼拌合物,宜用坍落擴展度法測定其稠度
B、用鋼尺測量砼擴展后最終的最大直徑,作為坍落擴展度值
C、用鋼尺測量砼擴展后最終的最小直徑,作為坍落擴展度值
D、擴展后的最大直徑與最小直徑之差超過50mm時,試驗無效
A、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點之間的高度差,作為坍落度值
B、提筒后,測量筒高與坍落后試體最低點之間的高度差,作為坍落度值
C、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點和最低點之間的高度差,取其平均值作為坍落度值
D、提筒后,應在150s后測量坍落度值
A.試驗前應潤濕坍落度筒及底板
B、拌合物應分二層均勻地裝入坍落度筒內(nèi)
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動棒振搗密實
D、頂層插搗完后,刮去多余的砼,并用抹刀抹平
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()