A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm立方體
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D、150×150×600mm立方體
A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、100×100×100mm立方體
D、Φ150×300mm圓柱體
A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、150×150×300mm棱柱體
D、Φ150×300mm圓柱體
A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×300mm棱柱體
A、同一盤
B、連續(xù)三盤
C、同一車
D、連續(xù)三車
最新試題
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。