A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×600mm立方體
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D、150×150×300mm棱柱體
A、同一盤
B、連續(xù)三盤
C、同一車
D、連續(xù)三車
A、抗壓強(qiáng)度
B、抗折強(qiáng)度
C、抗?jié)B等級
D、靜力受壓彈性模量
最新試題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()