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最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
在通常情況下,GaN呈()型結構。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。