多項(xiàng)選擇題以下（）尺寸和形狀的試件是砼劈裂抗拉強(qiáng)度非標(biāo)準(zhǔn)試件。

A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、150×150×300mm棱柱體


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你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題以下（）尺寸和形狀的試件可用作砼抗壓強(qiáng)度試件。

A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、150×150×300mm棱柱體

2.多項(xiàng)選擇題不是砼抗折試件的尺寸和形狀的試件有（）。

A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm立方體

3.多項(xiàng)選擇題以下（）尺寸和形狀的試件是砼靜力受壓彈性模量標(biāo)準(zhǔn)試件。

A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×600mm立方體

4.多項(xiàng)選擇題以下（）尺寸和形狀的試件是砼軸心抗壓強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)試件。

A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、100×100×100mm立方體
D、Φ150×300mm圓柱體

5.多項(xiàng)選擇題以下（）尺寸和形狀的試件是砼劈裂抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)試件。

A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、150×150×300mm棱柱體
D、Φ150×300mm圓柱體

最新試題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

PN結(jié)的基本特性是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題