多項(xiàng)選擇題不是砼試件標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)齡期計(jì)時(shí)始點(diǎn)的時(shí)點(diǎn)有（）。

A、試件拆模時(shí)間
B、試件移入標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)室時(shí)間
C、拌合物攪拌加水時(shí)間
D、拌合物拌制完成時(shí)間


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1.多項(xiàng)選擇題以下（）環(huán)境條件不是露天結(jié)構(gòu)或構(gòu)件的砼試件的同條件養(yǎng)護(hù)環(huán)境。

A、溫度20±2℃、相對(duì)濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內(nèi)陰涼場(chǎng)所
C、結(jié)構(gòu)或構(gòu)件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽(yáng)的屋檐下

2.多項(xiàng)選擇題以下（）環(huán)境條件是砼試件標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)條件。

A、溫度20±2℃、相對(duì)濕度95%以上的室內(nèi)
B、溫度20±2℃的不流動(dòng)的Ca（OH）2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動(dòng)的醋酸溶液中

3.多項(xiàng)選擇題以下（）操作描述是區(qū)別于搗棒人工搗實(shí)法的插入式振搗棒振實(shí)砼試件的典型步驟。

A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周，以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、搗實(shí)器具拔出時(shí)要緩慢，拔出后不得留有孔洞

4.多項(xiàng)選擇題以下（）操作描述是區(qū)別于振動(dòng)臺(tái)等機(jī)械振實(shí)法的搗棒人工搗實(shí)砼試件的典型步驟。

A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周，以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、每層插搗次數(shù)按在10000mm2截面積內(nèi)不得少于12次

5.多項(xiàng)選擇題以下（）稠度的砼試件宜采用振動(dòng)振實(shí)。

A、塌落擴(kuò)展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm

最新試題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

PN結(jié)的基本特性是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

硅片拋光在原理上不可分為（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題