多項(xiàng)選擇題以下（）操作描述是區(qū)別于振動(dòng)臺(tái)等機(jī)械振實(shí)法的搗棒人工搗實(shí)砼試件的典型步驟。

A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周，以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、每層插搗次數(shù)按在10000mm2截面積內(nèi)不得少于12次


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題以下（）稠度的砼試件宜采用振動(dòng)振實(shí)。

A、塌落擴(kuò)展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm

2.多項(xiàng)選擇題以下（）稠度的砼試件宜采用搗棒人工搗實(shí)。

A、塌落擴(kuò)展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm

3.多項(xiàng)選擇題試驗(yàn)室拌制砼拌合物時(shí)，稱(chēng)量精度為±0.5%的砼拌合材料有（）。

A、外加劑
B、水泥
C、石子
D、水

4.多項(xiàng)選擇題可以進(jìn)行自校驗(yàn)的砼力學(xué)性能試驗(yàn)儀器設(shè)備有（）。

A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、鋼墊板
C、成型試模
D、砼抗?jié)B儀

5.多項(xiàng)選擇題應(yīng)有周期計(jì)量檢定證書(shū)的砼力學(xué)性能試驗(yàn)儀器設(shè)備包括有（）。

A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、砼振動(dòng)臺(tái)
C、微變形測(cè)量?jī)x
D、砼坍落度儀

最新試題

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

題型：多項(xiàng)選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題