A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內陰涼場所
C、結構或構件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽的屋檐下
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A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的室內
B、溫度20±2℃的不流動的Ca(OH)2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動的醋酸溶液中
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、搗實器具拔出時要緩慢,拔出后不得留有孔洞
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、每層插搗次數(shù)按在10000mm2截面積內不得少于12次
A、塌落擴展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
A、塌落擴展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列是晶體的是()。
在通常情況下,GaN呈()型結構。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
硅片拋光在原理上不可分為()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。