A、棱柱體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
B、立方體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
C、圓柱體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
D、圓球體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
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A、棱柱體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
B、立方體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
C、圓球體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
D、圓柱體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
A、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中，有2個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過后者的20%時(shí)，此次試驗(yàn)的結(jié)果無效。
B、把3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值總是無誤的。
C、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中，有2個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過后者的15%時(shí)，此次試驗(yàn)的結(jié)果無效。
D、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中，僅有1個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過后者的20%時(shí)，則按另2個(gè)試件的彈性模量測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值。
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼卸荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼卸荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼卸荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都對(duì)
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都對(duì)
A、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa，控制應(yīng)力為11.0MPa
B、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa，控制應(yīng)力為33.0MPa
C、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa，控制應(yīng)力為11.0MPa
D、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa，基準(zhǔn)應(yīng)力為33.0MPa
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
可用作硅片的研磨材料是（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。