A、棱柱體抗壓強度試驗方法
B、立方體抗壓強度試驗方法
C、圓球體抗壓強度試驗方法
D、圓柱體抗壓強度試驗方法
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A、3個彈性模量試驗試件中,有2個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的20%時,此次試驗的結果無效。
B、把3個試件測值的算術平均值作為該組試件的彈性模量值總是無誤的。
C、3個彈性模量試驗試件中,有2個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的15%時,此次試驗的結果無效。
D、3個彈性模量試驗試件中,僅有1個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的20%時,則按另2個試件的彈性模量測值的算術平均值作為該組試件的彈性模量值。
A、<C30強度等級的砼卸荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、基準應力為3.3MPa,控制應力為11.0MPa
B、基準應力為3.3MPa,控制應力為33.0MPa
C、基準應力為0.5MPa,控制應力為11.0MPa
D、基準應力為0.5MPa,基準應力為33.0MPa
A、變形測量儀應安裝于試件一側
B、變形測量儀應安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測量儀應安裝于試件兩側的中線上并對稱于試件的兩端
D、變形測量儀應安裝于試件兩個承壓面上,承壓面應預先開好安裝槽
最新試題
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。