A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
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A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
A、小于C60強度等級時為0.95
B、小于C60強度等級時為1.05
C、小于C60強度等級時為0.85
D、不小于C60強度等級時應由試驗確定
A、試驗能否得到有效結果,尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時,該組試件的試驗結果無效。
C、同組3個試件測值中,最大值或最小值如有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%時,取中間值作為該組試件的抗折強度值。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術平均值作為該組試件的抗折強度值。
A、抗折試驗過程中,加荷速度應前慢后快
B、抗折試驗過程中,加荷速度應前快后慢
C、抗折試驗過程中,加荷應保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗過程中,因砼抗拉性能差,加荷應緩慢進行
最新試題
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列是晶體的是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
可用作硅片的研磨材料是()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。