A、鋼質(zhì)錐塞式
B、預應力錐塞式
C、熱鑄錐塞式
D、冷鑄錐塞式
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、焊接預應力筋后應加熱
B、只能用于預應力構(gòu)件內(nèi)部
C、焊接應在冷拉之前進行
D、不能和鋼絞線直接連接
A、第一層網(wǎng)片與墊板之間距離宜小于25mm
B、網(wǎng)片之間距離不宜過大
C、網(wǎng)片筋中的鋼筋間距不宜過大
D、網(wǎng)片筋在錨固區(qū)使用
A、內(nèi)縮量試驗
B、錨固端摩阻損失
C、靜載試驗
D、張拉錨固工藝試驗
A、內(nèi)縮量
B、總應變
C、錨頭損失
D、效率系數(shù)
A、試驗應力為0.75倍預應力筋抗拉強度
B、測量的是工具錨下應力與喇叭形墊板收口處的應力差異
C、摩阻損失包括錨具內(nèi)的損失和墊板中的損失
D、實驗結(jié)果為3組平行實驗的平均值
最新試題
改良西門子法的顯著特點不包括()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
硅片拋光在原理上不可分為()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()