A、試驗應(yīng)力為0.75倍預應(yīng)力筋抗拉強度
B、測量的是工具錨下應(yīng)力與喇叭形墊板收口處的應(yīng)力差異
C、摩阻損失包括錨具內(nèi)的損失和墊板中的損失
D、實驗結(jié)果為3組平行實驗的平均值
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A、內(nèi)縮量測量分為直接測量方式和間接測量方式
B、試驗應(yīng)力為0.8倍預應(yīng)力筋抗拉強度
C、可以通過測量預應(yīng)力筋錨固過程中的應(yīng)力變化得到
D、靜載實驗用的裝置一般不合適用于內(nèi)縮量試驗
A、總應(yīng)變測量若采用量具標距的方式,標距長度不應(yīng)小于1m
B、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮實驗儀器的彈性應(yīng)變
C、若采用測量加荷端油缸的位移方式,總長度應(yīng)為兩個夾片起夾點之間的距離
D、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮固定端的內(nèi)縮值
A.高分子防水卷材
B.無膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
A.上表面五個試件均無裂縫,下表面試件五個均無裂縫
B.上表面五個試件有兩個有裂縫,下表面五個試件均無裂縫
C.上表面五個試件有一個有裂縫,下表面五個試件有一個試件有裂縫
D.上表面五個試件有一個試件有裂縫,下表面五個試件有兩個試件有裂縫
最新試題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
下列是晶體的是()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。