最新試題
本征光電導
等離子體
光刻技術中的反刻工藝,通常應用于()的情況。
XPS只能檢測元素種類,無法標定元素含量。
一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的()達到了14nm量級
光生伏特效應
PMOS的基底是p型半導體,所以叫PMOS。
異質結是由至少兩種不同禁帶寬度的半導體相互接觸而形成的。
半導體鍍膜通常在真空中進行是為了減少雜質沉積的干擾。
內光電效應