判斷題PMOS的基底是p型半導(dǎo)體,所以叫PMOS。
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3.單項(xiàng)選擇題MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過(guò)()極電壓來(lái)控制()極和()極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
A.柵、源、漏
B.漏、源、柵
C.源、漏、柵
D.以上都不是
4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí),其()的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
A.集電極到發(fā)射極
B.集電極到基極
C.基極到發(fā)射極
D.以上都不是
5.單項(xiàng)選擇題一般說(shuō)的14nm工藝線指的是MOSFET中的()達(dá)到了14nm量級(jí)
A.柵極長(zhǎng)度
B.漏極寬度
C.柵極寬度
D.以上都不是
最新試題
MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件,BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。
題型:判斷題
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
題型:判斷題
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
題型:判斷題
一般說(shuō)的14nm工藝線指的是MOSFET中的()達(dá)到了14nm量級(jí)
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PMOS的基底是p型半導(dǎo)體,所以叫PMOS。
題型:判斷題
MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。
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非本征光電導(dǎo)
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光電導(dǎo)效應(yīng)
題型:名詞解釋
當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí),其()的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在CMOS工藝中,最為昂貴的步驟是:()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題