判斷題異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
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2.判斷題AFM通常用來觀測(cè)樣品表面形貌。
5.單項(xiàng)選擇題光刻技術(shù)中的反刻工藝,通常應(yīng)用于()的情況。
A.對(duì)光刻精度較高
B.光刻圖案密度較高
C.光刻的材料易于腐蝕
D.光刻的材料難以腐蝕
最新試題
一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的()達(dá)到了14nm量級(jí)
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
題型:判斷題
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。
題型:判斷題
內(nèi)光電效應(yīng)
題型:名詞解釋
本征吸收
題型:名詞解釋
GaAs晶體是()結(jié)構(gòu)
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
題型:判斷題
XPS只能檢測(cè)元素種類,無法標(biāo)定元素含量。
題型:判斷題
MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過()極電壓來控制()極和()極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
題型:判斷題