最新試題
BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
題型：多項選擇題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型：問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：問答題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：問答題
從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
題型：多項選擇題
目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？
題型：問答題
編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：問答題
集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。
題型：多項選擇題