填空題CZ直拉法的目的是（）。
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編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：問答題
從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？
題型：問答題
目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？
題型：問答題
把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
題型：單項選擇題
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題
由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
題型：單項選擇題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：問答題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：問答題