填空題制作鎢塞的主要工藝步驟是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨拋鎢。
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在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
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根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
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版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
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試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。
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MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
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設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
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試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
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硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項(xiàng)選擇題
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項(xiàng)選擇題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型：?jiǎn)柎痤}