判斷題芯片上的物理尺寸特征被稱為關鍵尺寸，即CD。
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BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構的高電流驅(qū)動能力。
題型：多項選擇題
從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
題型：多項選擇題
硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項選擇題
集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。
題型：多項選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？
題型：問答題
在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。
題型：單項選擇題
設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：問答題
MOS器件存在哪些二階效應？
題型：問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：問答題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型：問答題