判斷題與干法刻蝕相比，濕法腐蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比，對器件不會帶來等離子體損傷，并且設備簡單。
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編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？
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MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？
題型：問答題
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MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型：多項選擇題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
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目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？
題型：問答題
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版圖設計的基本前提是什么？
題型：問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題