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判斷題刻蝕速率通常正比于刻蝕劑的濃度。

1.判斷題對于大馬士革工藝，重點是在于金屬的刻蝕而不是介質(zhì)的刻蝕。

2.判斷題不正確的刻蝕將導(dǎo)致硅片報廢，給硅片制造公司帶來損失。

3.判斷題干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法，濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下刻蝕器件，例如大于3微米。

4.判斷題各向異性的刻蝕剖面是在所有方向上（橫向和垂直方向）以相同的刻蝕速率進行刻蝕。

5.判斷題光刻是集成電路制造工藝發(fā)展的驅(qū)動力。