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判斷題離子注入是唯一能夠精確控制摻雜的手段。

1.判斷題硼是VA族元素，其摻雜形成的半導體是P型半導體。

2.判斷題P是VA族元素，其摻雜形成的半導體是P型半導體。

3.判斷題離子注入中靜電掃描的主要缺點是離子束不能垂直轟擊硅片，會導致光刻材料的陰影效應，阻礙離子束的注入。

4.判斷題離子注入會將原子撞擊出晶格結構而損傷硅片晶格，高溫退火過程能使硅片中的損傷部分或絕大部分得到消除，摻入的雜質也能得到一定比例的電激活。

5.判斷題熱擴散中的橫向擴散通常是縱向結深的75%~85%。先進的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴散，因為它會導致溝道長度的減小，影響器件的集成度和性能。

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