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大學(xué)試題

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判斷題離子注入會(huì)將原子撞擊出晶格結(jié)構(gòu)而損傷硅片晶格，高溫退火過程能使硅片中的損傷部分或絕大部分得到消除，摻入的雜質(zhì)也能得到一定比例的電激活。

1.判斷題熱擴(kuò)散中的橫向擴(kuò)散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進(jìn)的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴(kuò)散，因?yàn)樗鼤?huì)導(dǎo)致溝道長度的減小，影響器件的集成度和性能。

2.判斷題硅中的雜質(zhì)只有一部分被真正激活，并提供用于導(dǎo)電的電子或空穴（大約3%~5%），大多數(shù)雜質(zhì)仍然處在間隙位置，沒有被電學(xué)激活。

3.判斷題擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是各向同性的。

4.判斷題擴(kuò)散率越大，雜質(zhì)在硅片中的移動(dòng)速度就越大。

5.判斷題摻雜的雜質(zhì)和沾污的雜質(zhì)是一樣的效果。