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判斷題離子注入中靜電掃描的主要缺點是離子束不能垂直轟擊硅片，會導致光刻材料的陰影效應，阻礙離子束的注入。

1.判斷題離子注入會將原子撞擊出晶格結構而損傷硅片晶格，高溫退火過程能使硅片中的損傷部分或絕大部分得到消除，摻入的雜質也能得到一定比例的電激活。

2.判斷題熱擴散中的橫向擴散通常是縱向結深的75%~85%。先進的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴散，因為它會導致溝道長度的減小，影響器件的集成度和性能。

3.判斷題硅中的雜質只有一部分被真正激活，并提供用于導電的電子或空穴（大約3%~5%），大多數雜質仍然處在間隙位置，沒有被電學激活。

4.判斷題擴散運動是各向同性的。

5.判斷題擴散率越大，雜質在硅片中的移動速度就越大。