判斷題離子注入能夠重復(fù)控制雜質(zhì)的濃度和深度,因而在幾乎所有應(yīng)用中都優(yōu)于擴(kuò)散。
您可能感興趣的試卷
最新試題
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響?
題型:問答題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。
題型:多項選擇題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點。
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型:問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
題型:多項選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
設(shè)計一個CMOS差分放大器電路,寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計上采取哪些措施?
題型:問答題
在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實體就是()。
題型:單項選擇題