判斷題集成電路制造就是在硅片上執(zhí)行一系列復(fù)雜的化學(xué)或者物理操作。簡而言之，這些操作可以分為四大基本類：薄膜制作、刻印、刻蝕和摻雜。
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圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
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