問答題矩形片式電阻由哪幾部分組成？各部分的主要作用是什么？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
最新試題
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？
題型：問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型：多項(xiàng)選擇題
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：問答題
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？
題型：問答題
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？
題型：問答題
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：問答題
BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
題型：多項(xiàng)選擇題
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型：問答題