A.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時,可按樓層劃分檢測單元
B.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時,按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個結(jié)構(gòu)單元,劃分為若干個檢測單元
D.每一個檢測單元內(nèi),不宜少于6個測區(qū)
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A.5
B.6
C.8
D.10
A.在檢測完成后在收集工程建設(shè)時間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
D.現(xiàn)場調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
A.12
B.10
C.8
D.16
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。