A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
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A.使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標(biāo)上測量砌體變形的初讀數(shù)時,應(yīng)測量3次,并應(yīng)取其平均值
B.槽的四周應(yīng)清理平整,并應(yīng)除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進(jìn)行下一步測試工作
D.開槽時不應(yīng)操作測點(diǎn)部位的墻體及變形測量腳標(biāo)
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
A.0.5m
B.1.0m
C.1.5m
D.2.0m
A.門、窗洞口側(cè)邊100mm范圍內(nèi)
B.門、窗洞口側(cè)邊110mm范圍內(nèi)
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.門、窗洞口側(cè)邊130mm
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
硅片拋光在原理上不可分為()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
PN結(jié)的基本特性是()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。