A.5個(gè)
B.6個(gè)
C.8個(gè)
D.10個(gè)
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A.屬原位檢測(cè),直接在墻體上測(cè)試,測(cè)試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測(cè)部位局部破損
C.直觀性,可比性強(qiáng)
D.設(shè)備較輕
A.0.1mm
B.0.2mm
C.0.5mm
D.1mm
A.塊材強(qiáng)度
B.砂漿強(qiáng)度
C.抹灰強(qiáng)度
D.砌體強(qiáng)度
A.0.05mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.0.1mm
A.30
B.45
C.60
D.75
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()