單項選擇題燒結(jié)磚回彈法相鄰兩彈擊點的間距不應(yīng)小于(),每一彈擊點應(yīng)只能彈擊一次。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題燒結(jié)磚回彈法在每塊磚的側(cè)面上應(yīng)均勻布置()彈擊點,選定彈擊點時應(yīng)避開磚表面的缺陷。
A.5個
B.6個
C.8個
D.10個
2.單項選擇題原位軸壓法的特點不包括()。
A.屬原位檢測,直接在墻體上測試,測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測部位局部破損
C.直觀性,可比性強(qiáng)
D.設(shè)備較輕
3.單項選擇題點荷法試件破壞后應(yīng)拼接成原樣,并測量荷載作用半徑,應(yīng)精確到()。
A.0.1mm
B.0.2mm
C.0.5mm
D.1mm
4.單項選擇題砌體結(jié)構(gòu)的檢測內(nèi)容主要有強(qiáng)度和施工質(zhì)量,其中強(qiáng)度不包括()。
A.塊材強(qiáng)度
B.砂漿強(qiáng)度
C.抹灰強(qiáng)度
D.砌體強(qiáng)度
5.單項選擇題點荷法制備試件,應(yīng)在砂漿試件上畫出作用點,并應(yīng)量測其厚度,應(yīng)精確至()。
A.0.05mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.0.1mm
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項選擇題