填空題過共析鋼和共析鋼的淬火加熱溫度為（）。
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在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
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屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
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對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
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多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
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與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題