最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項選擇題