填空題（）是半導(dǎo)體單晶重要電學(xué)參數(shù)之一，它反映了補(bǔ)償后的雜質(zhì)濃度，與半導(dǎo)體中的載流子濃度有直接關(guān)系。
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N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
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n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
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MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
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晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型：判斷題