填空題在晶體學上，選取與宏觀晶體有同樣對稱性的平行六面體來作為（），它構(gòu)成體的最小單位。
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P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型：判斷題
半導體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題