問答題X射線所必須具備的條件？
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5.單項選擇題直拉單晶中氧含量頭部和尾部相比（）。
A.較高
B.相同
C.較低
D.無法判斷
最新試題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個晶體管。
題型：填空題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產最主要的一種是（）。
題型：填空題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型：判斷題
實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數。
題型：判斷題