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【簡答題】從微觀上看,漩渦缺陷與錯位缺陷有什么區(qū)別?
答案:
漩渦缺陷:微觀上漩渦條紋由大量的淺蝕坑組成。是條紋處出現(xiàn)密集的平底淺坑單晶或腐蝕小丘單晶。
位錯缺陷:它屬于...
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【簡答題】X射線衍射與光反射的區(qū)別?
答案:
光反射光在兩種物質(zhì)分界面上改變傳播方向又返回原來物質(zhì)中的現(xiàn)象,叫做光的反射。
X射線的衍射X射線是一種波長很短...
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【簡答題】為什么電化學腐蝕會產(chǎn)生電位差?它的原因是什么?
答案:
電化學腐蝕是指金屬或半導體材料在電解質(zhì)水溶液中所受到的腐蝕,被腐蝕的半導體各個部分或區(qū)域之間存在電位差,構成正極和負極。...
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【簡答題】冷熱探筆法測試硅單晶的原理是什么?
答案:
溫差電動勢法,溫差電流法.
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【簡答題】測試非平衡少數(shù)載流子數(shù)目的方法?
答案:
(1)瞬態(tài)法,也稱穩(wěn)態(tài)法,這類方法有光電導衰退法
(2)穩(wěn)態(tài)法,也稱間接法,這類方法主要有擴散長度法和光磁法.
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【簡答題】光電導衰退法分為哪幾種?都有什么優(yōu)點?
答案:
可分為高頻光電導和直流光電導;高頻光電導的優(yōu)點,無須切割成一定的幾何形狀,樣品較少受到污染,測試方法簡單,得到廣泛應用。...
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【簡答題】晶半導體中的缺陷都有哪些?
答案:
微觀缺陷:點缺陷,殘缺陷,雜志缺陷。
宏觀缺陷:小角度晶界和系屬結構,位錯排與星形結構,雜質(zhì)析出與夾雜物。
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【簡答題】位錯的面密度是如何計算的?
答案:
1位錯的體密度Nv=V\L2位錯的面密度No=S\N
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【簡答題】從微觀上看,漩渦缺陷與位錯蝕坑有什么區(qū)別?
答案:
漩渦缺陷是淺的平底坑,顯微鏡下呈白亮的芯,而位錯蝕坑是深的尖底坑,顯微鏡下呈黑三角形。
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【簡答題】金相顯微鏡的構成?
答案:
由光字系統(tǒng),照明系統(tǒng),機械系統(tǒng)三部分組成。
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【簡答題】高純水的測量方法有哪些?有什么優(yōu)點?
答案:
1靜置測量法優(yōu)點,簡單,靈活性大,便于移動。
2流動測量法的優(yōu)點,測量準確性高,可連續(xù)測量,應用廣泛。
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