單項選擇題盡量提高晶轉(zhuǎn)可以改善晶體中雜質(zhì)分布的徑向均勻性，如果晶轉(zhuǎn)過高，會導(dǎo)致固液界面的形狀（）。
A、形狀太凹
B、形狀太凸
C、過于平整
D、無變化
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1.單項選擇題通過（）改變驅(qū)動力場，借以控制生長系統(tǒng)中的成核率，這是晶體生長工藝中經(jīng)常使用的方法。
A、溫度場
B、磁場
C、重力場
D、電場
2.單項選擇題硅的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（）.
A.金剛石型和直接禁帶型
B.閃鋅礦型和直接禁帶型
C.金剛石型和間接禁帶型
D.閃鋅礦型和間接禁帶型
3.單項選擇題固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保護氣中，在（）攝氏度以上進行常規(guī)熱處理。
A、300
B、400
C、500
D、600
4.單項選擇題如果半導(dǎo)體中存在多種雜質(zhì)，在通常情況下，可以認為基本上屬于雜質(zhì)飽和電離范圍，其電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系可近似表示為（）.
A.1/（NA-ND.eｕp
B.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e
D.1/（NA+ND.eｕp
最新試題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
1947年，（）等人制造了第一個晶體管。
題型：填空題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題