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單項選擇題下列與硼氧復(fù)合體缺陷無關(guān)的是（）。

A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度

1.單項選擇題盡量提高晶轉(zhuǎn)可以改善晶體中雜質(zhì)分布的徑向均勻性，如果晶轉(zhuǎn)過高，會導(dǎo)致固液界面的形狀（）。

A、形狀太凹
B、形狀太凸
C、過于平整
D、無變化

2.單項選擇題通過（）改變驅(qū)動力場，借以控制生長系統(tǒng)中的成核率，這是晶體生長工藝中經(jīng)常使用的方法。

A、溫度場
B、磁場
C、重力場
D、電場

3.單項選擇題硅的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（）.

A.金剛石型和直接禁帶型
B.閃鋅礦型和直接禁帶型
C.金剛石型和間接禁帶型
D.閃鋅礦型和間接禁帶型

4.單項選擇題固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保護(hù)氣中，在（）攝氏度以上進(jìn)行常規(guī)熱處理。

A、300
B、400
C、500
D、600

5.單項選擇題如果半導(dǎo)體中存在多種雜質(zhì)，在通常情況下，可以認(rèn)為基本上屬于雜質(zhì)飽和電離范圍，其電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系可近似表示為（）.

A.1/（NA-ND.eｕp
B.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e
D.1/（NA+ND.eｕp