單項(xiàng)選擇題下列不屬于工業(yè)吸附要求的是()。
A.具有較大的內(nèi)表面,吸附容量大
B.具有一定的機(jī)械強(qiáng)度,耐熱沖擊,耐腐蝕
C.不易得,昂貴
D.容易再生
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1.單項(xiàng)選擇題下列與硼氧復(fù)合體缺陷無(wú)關(guān)的是()。
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
2.單項(xiàng)選擇題盡量提高晶轉(zhuǎn)可以改善晶體中雜質(zhì)分布的徑向均勻性,如果晶轉(zhuǎn)過高,會(huì)導(dǎo)致固液界面的形狀()。
A、形狀太凹
B、形狀太凸
C、過于平整
D、無(wú)變化
3.單項(xiàng)選擇題通過()改變驅(qū)動(dòng)力場(chǎng),借以控制生長(zhǎng)系統(tǒng)中的成核率,這是晶體生長(zhǎng)工藝中經(jīng)常使用的方法。
A、溫度場(chǎng)
B、磁場(chǎng)
C、重力場(chǎng)
D、電場(chǎng)
4.單項(xiàng)選擇題硅的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是().
A.金剛石型和直接禁帶型
B.閃鋅礦型和直接禁帶型
C.金剛石型和間接禁帶型
D.閃鋅礦型和間接禁帶型
5.單項(xiàng)選擇題固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保護(hù)氣中,在()攝氏度以上進(jìn)行常規(guī)熱處理。
A、300
B、400
C、500
D、600
最新試題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
題型:填空題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。