單項(xiàng)選擇題參雜硼元素的半導(dǎo)體是().
A.p型半導(dǎo)體
B.本征半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.pn結(jié)
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1.單項(xiàng)選擇題下列不屬于三氯氫硅性質(zhì)的是()。
A、無(wú)色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
2.單項(xiàng)選擇題下列不屬于工業(yè)吸附要求的是()。
A.具有較大的內(nèi)表面,吸附容量大
B.具有一定的機(jī)械強(qiáng)度,耐熱沖擊,耐腐蝕
C.不易得,昂貴
D.容易再生
3.單項(xiàng)選擇題下列與硼氧復(fù)合體缺陷無(wú)關(guān)的是()。
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
4.單項(xiàng)選擇題盡量提高晶轉(zhuǎn)可以改善晶體中雜質(zhì)分布的徑向均勻性,如果晶轉(zhuǎn)過高,會(huì)導(dǎo)致固液界面的形狀()。
A、形狀太凹
B、形狀太凸
C、過于平整
D、無(wú)變化
5.單項(xiàng)選擇題通過()改變驅(qū)動(dòng)力場(chǎng),借以控制生長(zhǎng)系統(tǒng)中的成核率,這是晶體生長(zhǎng)工藝中經(jīng)常使用的方法。
A、溫度場(chǎng)
B、磁場(chǎng)
C、重力場(chǎng)
D、電場(chǎng)
最新試題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型:判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題