單項選擇題以下哪一種屬于金剛石結構().
A.Si
B.Cu
C.Fe
D.Al
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1.單項選擇題半導體工業(yè)所用的硅單晶()是用CZ法生長的。
A.70%
B.80%
C.90%
D.60%
2.單項選擇題下列屬于單晶硅片的一般形狀().
A.方形
B.三角形
C.橢圓形
D.梯形
3.單項選擇題下列不屬于非晶硅優(yōu)點的是().
A.制備方法簡單
B.工藝成本低
C.制備溫度高
D.可大面積制備
4.單項選擇題其中不屬于多晶硅的生產(chǎn)方法的是().
A.SiCl4法
B.硅烷法
C.直拉法
D.西門子改良法
5.單項選擇題參雜硼元素的半導體是().
A.p型半導體
B.本征半導體
C.N型半導體
D.pn結
最新試題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓,即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
實際的MOS管,絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題