單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體工業(yè)所用的硅單晶()是用CZ法生長的。
A.70%
B.80%
C.90%
D.60%
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1.單項(xiàng)選擇題下列屬于單晶硅片的一般形狀().
A.方形
B.三角形
C.橢圓形
D.梯形
2.單項(xiàng)選擇題下列不屬于非晶硅優(yōu)點(diǎn)的是().
A.制備方法簡單
B.工藝成本低
C.制備溫度高
D.可大面積制備
3.單項(xiàng)選擇題其中不屬于多晶硅的生產(chǎn)方法的是().
A.SiCl4法
B.硅烷法
C.直拉法
D.西門子改良法
4.單項(xiàng)選擇題參雜硼元素的半導(dǎo)體是().
A.p型半導(dǎo)體
B.本征半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.pn結(jié)
5.單項(xiàng)選擇題下列不屬于三氯氫硅性質(zhì)的是()。
A、無色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
最新試題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型:判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個極,()個區(qū),()個PN結(jié)。
題型:填空題