最新試題
試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟,并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。
發(fā)射區(qū)推進效應
點接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小,因此其最高工作頻率低。
試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B,P,As的擴散特性。
淀積擴散主要受哪些因素的控制?
結(jié)電容是常量。
薄層電阻
試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法,并說明當前實際工藝中使用的主要方法及理由。
自由電子帶負電,空穴帶正電。
半導體獲得廣泛應用的原因是()