電路如圖所示，下列哪項不正確？（）
A.二極管正向?qū)?，電流與電壓呈現(xiàn)指數(shù)關(guān)系
B.二極管是一種線性元件
C.若已知二極管的伏安特性曲線，根據(jù)作圖法，能求得二極管的Q點
D.對于電路有iD=（VDD-vD）/R
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A.鍺二極管的門檻電壓，相對硅而言比較小
B.鍺二極管的反向飽和電流，相對硅而言更大一點
C.二極管兩端所加的正向電壓大于門檻電壓時，電流呈現(xiàn)指數(shù)增加
D.二極管兩端施加反向電壓時，會形成反向飽和電流，相當(dāng)于二極管導(dǎo)通
A.大的正向擴(kuò)散電流
B.PN結(jié)導(dǎo)通
C.低電阻
D.高電阻
A.空間電荷區(qū)的電阻率很高
B.PN結(jié)的內(nèi)電場是從P區(qū)指向N區(qū)的
C.由載流子濃度差引起的載流子運動，稱為擴(kuò)散運動
D.漂移運動指的是電場作用所引起的載流子的運動
A.N型半導(dǎo)體，自由電子數(shù)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴數(shù)的
B.N型半導(dǎo)體中，自由電子是多子
C.N型半導(dǎo)體中，空穴是多子
D.N型半導(dǎo)體中的空穴主要由熱激發(fā)形成
A.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力是隨著溫度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一個帶正電的粒子，電量與電子相等
C.可以用空穴移動產(chǎn)生的電流來代替受束縛的電子移動產(chǎn)生的電流
D.硅的價電子比鍺的價電子越容易擺脫束縛（相同情況）
最新試題
關(guān)于耦合電容，下列哪個說法不對？（）
下面哪項不是PN結(jié)加正向電壓時的特性？（）
這是一個什么電路？（）
關(guān)于電壓放大電路，以下哪個表述是不對的？（）
關(guān)于放大電路的輸出電阻的描述，下面哪個不對？（）
放大電路的輸入電阻與信號源內(nèi)阻無關(guān)。
電路如圖所示，下列哪項不正確？（）
下面哪個不是放大器所需要討論的內(nèi)容？（）
關(guān)于二極管的小信號模型，下列哪一個說法不正確？（）
電路如圖所示。求（）。