單項(xiàng)選擇題PNP型硅管工作在放大狀態(tài),各極對(duì)地電位分別是V1=6V,V2=2.7V,V=2V,則1,2,3分別為()。

A.發(fā)射極、基極、集電極
B.集電極、基極、發(fā)射極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.基極、集電極、發(fā)射極


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2.單項(xiàng)選擇題

測(cè)得電路中晶體三極管各電極相對(duì)于地的電位如圖,從而可判斷該晶體管工作在()。

A.飽和狀態(tài)
B.放大狀態(tài)
C.倒置狀態(tài)
D.截止?fàn)顟B(tài)

3.單項(xiàng)選擇題

工作在放大狀態(tài)的三極管兩個(gè)電極電流如圖,那么,第三個(gè)電極的電流大小、方向和管腳自左至右順序分別為()。

A.0.03mA 流出三極管ecb
B.0.03mA 流進(jìn)三極管ecb
C.0.03mA 流出三極管ceb
D.0.03mA 流進(jìn)三極管ceb

4.單項(xiàng)選擇題對(duì)于晶體二極管,下列說法正確的是()。

A.正向偏置時(shí)導(dǎo)通,反向偏置時(shí)截止
B.反向偏置時(shí)無電流流過二極管
C.反向擊穿后立即燒毀
D.導(dǎo)通時(shí)可等效為一線性電阻

5.單項(xiàng)選擇題如果二極管的正反向電阻都很大,則該二極管()。

A.正常
B.斷路
C.被擊穿
D.短路

最新試題

?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測(cè)頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)?()

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已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。

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?6位7段數(shù)碼管動(dòng)態(tài)顯示模塊如圖,要求人眼看到所有數(shù)碼管同時(shí)顯示各自對(duì)應(yīng)的數(shù)字,控制數(shù)碼管位選信號(hào)的動(dòng)態(tài)掃描時(shí)鐘信號(hào)頻率約為多少?()

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?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級(jí)原型的符號(hào)有()。

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在對(duì)數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí),設(shè)秒信號(hào)的周期為10ns,若要觀察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確,那么在復(fù)位信號(hào)無效,計(jì)時(shí)使能信號(hào)有效的情況下,仿真需運(yùn)行多長(zhǎng)時(shí)間?()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義:下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。

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?verilog語法中,間隔符號(hào)主要包括()。

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?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用,和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有()。

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以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號(hào)處理系統(tǒng)的最后一級(jí)??()

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