問答題什么是溝道效應？抑制方法？
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最新試題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數差會影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。
題型：填空題
絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個晶體管。
題型：填空題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
柵極材料與半導體材料的功函數差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型：判斷題
MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型：判斷題