最新試題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
雙極型晶體管內部有()個極,()個區(qū),()個PN結。
題型:填空題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題