A、SiO2
B、CaO
C、Al2O3
D、MgO
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、長石類原料
B、氧化鋰類原料
C、純堿
D、芒硝
A、降低陶瓷產(chǎn)品的燒成溫度
B、抑制莫來石晶體的形成和長大
C、提高產(chǎn)品的機械強度
D、提高介電性能
A、能提供游離氧使玻璃結(jié)構(gòu)中的O/Si比值增加
B、降低玻璃黏度
C、是良好的助熔劑
D、降低玻璃的熱膨脹系數(shù)
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>25%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>25%,F(xiàn)e2O3<0.3%
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.3%
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()